紫外線励起加工の挑戦: 次世代半導体と金属材料の超平滑化

総合科学技術研究機構 エネルギーイノベーション材料研究センター

上席研究員 田中 武司

研究内容

紫外線で励起された光触媒と蛍光材料による研磨技術

電子と正孔を遠・近紫外線照射により励起し、多くの材料の表面をナノレベルで加工する基礎技術を確立した。一般的な多くの金属材料を研磨する分野では、バイオミメティクス的視点による金属加工表面の平滑化(性状)プロセスの解明と創成を行い、摺動部品の摩擦係数を半減することにより、機械損失を大幅に低減し、製品の省エネルギー化、高性能化を実現する。 さらに、次世代パワーエレクトロニクス半導体基材であるSiCでは既に基礎技術を確立し、ダイヤモンド薄膜半導体に遠紫外線を用いた新技術に挑戦する。次世代パワーエレクトロニクス製造工程に革新的変革をもたらし、生産技術力強化による国際競争力を向上させる。

U-RAM加工(紫外線励起加工)-電子と正孔を積極的に動かす量子理論の世界-

金属加工例 ー加工学はナノテクノロジーの発祥地ー

U-RAM加工(紫外線励起加工)の原理 -ハイブリッドプロセスの実現-

平滑化メリット

・加工変質層の除去 ・摩擦係数の低減 ・磨耗量の削減



製品への展開

・人工股関節等インプラント製品の磨耗量低減による人体への負荷軽減と長寿命化
・次世代半導体基材の研磨速度アップによる生産性向上
・圧縮機、自動車用エンジン、軸受等の省エネルギー化

特許情報

第5354631号/第5622158号/登録第5584614号(商標)

研究キーワード

研磨 ・量子化学 ・電子 ・正孔 ・光触媒 ・蛍光材料 ・紫外線励起 ・半導体基材 

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